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IRF530A
0.58
IRF530A 数据手册 (20 页)
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IRF530A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
110 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
-12.0 V
栅源击穿电压
±0.00 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
55 W
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
55W (Tc)

IRF530A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF530A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 0.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.5 MByte

IRF530 数据手册

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功率MOSFET Power MOSFET
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Vishay Siliconix
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
Harris
N沟道 100V 14A
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