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器件3D模型
¥ 0.58
IRF530A 数据手册 - Fairchild(飞兆/仙童)
制造商:
Fairchild(飞兆/仙童)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF530A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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IRF530A 数据手册 (20 页)
封装尺寸
在
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IRF530A 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
110 mΩ
极性
N-Channel
功耗
55 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
-12.0 V
栅源击穿电压
±0.00 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
790pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
55 W
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
55W (Tc)
查看数据手册 >
IRF530A 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Rail
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRF530A 符合标准
IRF530A 海关信息
IRF530A 概述
●
高级功率 MOSFET,Fairchild Semiconductor
●
雪崩耐受技术
●
耐用栅极氧化物技术
●
低输入电容
●
改进了栅极电荷
●
### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor
●
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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