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IRF530A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

IRF530A 系列 100 V 0.11 Ohm N沟道高级功率 Mosfet - TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF530A 数据手册 (7 页)

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IRF530A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.11 Ω

功耗

55 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

55 W

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

55000 mW

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IRF530A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Rail, Tube

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IRF530A 符合标准

IRF530A 概述

IRF530A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.24 MByte

IRF530A 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.36 MByte

IRF530A 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.09 MByte

IRF530A 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.5 MByte

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