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IRF530SPBF
0.733
IRF530SPBF 数据手册 (9 页)
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IRF530SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
160 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.7 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
14.0 A
上升时间
34 ns
输入电容值(Ciss)
670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.7 W
下降时间
24 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF530SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
800

IRF530SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
13 页 / 0.35 MByte
VISHAY(威世)
3 页 / 0.06 MByte

IRF530 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 14A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 20 A, 60〜100 V N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
Motorola(摩托罗拉)
Harris
N沟道 100V 14A
Infineon(英飞凌)
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