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IRF540PBF
1.206
IRF540PBF 数据手册 (9 页)
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IRF540PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
28.0 A
封装
TO-220-3
额定功率
150 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.077 Ω
极性
N-Channel
功耗
150 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
28.0 A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
150 W
下降时间
43 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 W

IRF540PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF540PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.27 MByte
VISHAY(威世)
12 页 / 0.31 MByte

IRF540 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 28A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Vishay Intertechnology
Philips(飞利浦)
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