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IRF540S
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IRF540S 数据手册 (9 页)
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IRF540S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
功耗
3.7W (Ta), 150W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.7W (Ta), 150W (Tc)

IRF540S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF540S 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 0.2 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.16 MByte

IRF540 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 28A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Vishay Intertechnology
Philips(飞利浦)
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