Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IRF540ZSTRLPBF Datasheet 文档
IRF540ZSTRLPBF
0.627
IRF540ZSTRLPBF 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRF540ZSTRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
额定功率
92 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.021 Ω
极性
N-Channel
功耗
92 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
36A
上升时间
51 ns
输入电容值(Ciss)
1770pF @25V(Vds)
下降时间
39 ns
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
92W (Tc)

IRF540ZSTRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF540ZSTRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF540 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO- 220 / TO- 220FI功率MOSFET N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 100V 28A
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 27 A, 60-100V N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
Vishay Intertechnology
Philips(飞利浦)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IRF540 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z