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IRF5803D2TR
器件3D模型
0.085
IRF5803D2TR 数据手册 (11 页)
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IRF5803D2TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
P-CH
功耗
2W (Ta)
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
3.4A
输入电容值(Ciss)
1110pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2W (Ta)

IRF5803D2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF5803D2TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.17 MByte

IRF5803D2 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
FETKY⑩ MOSFET和肖特基二极管( VDSS = -40V , RDS(ON) = 112ohm ) FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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