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IRF610PBF
0.324
IRF610PBF 数据手册 (8 页)
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IRF610PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
36W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
140pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
36 W
耗散功率(Max)
36W (Tc)

IRF610PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF610PBF 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.27 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.13 MByte

IRF610 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.3A , 200V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.5A , 150-200V N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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