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IRF6216TRPBF
器件3D模型
0.391
IRF6216TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF6216TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.24 Ω
极性
P-CH
功耗
2.5 W
输入电容
1280 pF
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
2.2A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1280pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF6216TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6216TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.04 MByte

IRF6216 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6216TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -150 V, 0.24 ohm, -10 V, -5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6216PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.2 A, -150 V, 240 mohm, -10 V, -3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF6216TRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -2.2A, -150V, 8-SOIC
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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