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IRF630S
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IRF630S 数据手册 (10 页)
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IRF630S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
200 V
额定电流
6.50 A
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
28.0 ns

IRF630S 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.19 MByte

IRF630 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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