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IRF630SPBF
0.309
IRF630SPBF 数据手册 (9 页)
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IRF630SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
输入电容值(Ciss)
800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W

IRF630SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRF630SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte

IRF630 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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