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IRF630STRLPBF
0.921
IRF630STRLPBF 数据手册 (6 页)
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IRF630STRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
400 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3 W
漏源极电压(Vds)
200 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
28 ns
输入电容值(Ciss)
800pF @25V(Vds)
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 74W (Tc)

IRF630STRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
最小包装数量
2000

IRF630STRLPBF 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.56 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.19 MByte

IRF630 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 12A , 150至200 V N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
9A , 200V , 0.400 Ohm的N通道功率MOSFET 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
International Rectifier(国际整流器)
ON Semiconductor(安森美)
Vishay Siliconix
NXP(恩智浦)
N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor
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