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IRF634 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF634 数据手册 (14 页)

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IRF634 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

250 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

450 mΩ

极性

N-Channel

功耗

80W (Tc)

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

输入电容值(Ciss)

770pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

80W (Tc)

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IRF634 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

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IRF634 符合标准

IRF634 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.31 MByte

IRF634 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 1.05 MByte

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