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IRF634FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

封装:

TO-220

描述:

N沟道250V - 0.38ohm - 8A TO- 220 / TO- 220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY⑩ MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF634FP 数据手册 (9 页)

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IRF634FP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

250 V

连续漏极电流(Ids)

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IRF634FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

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IRF634FP 符合标准

IRF634FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

9 页 / 0.43 MByte

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