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IRF6648TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

DirectFET-MN

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6648TR1PBF 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页

IRF6648TR1PBF 数据手册 (10 页)

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IRF6648TR1PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

DirectFET-MN

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7 mΩ

极性

N-CH

功耗

89 W

阈值电压

4.9 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

86A

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

2120pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.8 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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IRF6648TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6648TR1PBF 符合标准

IRF6648TR1PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.62 MByte

IRF6648TR1PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.62 MByte

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1 页 / 0.15 MByte

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