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IRF6668TRPBF
0.538
IRF6668TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF6668TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
Direct-FET
额定功率
89 W
通道数
1 Channel
针脚数
7 Position
漏源极电阻
0.012 Ω
极性
N-Channel
功耗
89 W
阈值电压
4 V
输入电容
1320 pF
漏源极电压(Vds)
80 V
连续漏极电流(Ids)
55A
上升时间
13 ns
输入电容值(Ciss)
1320pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6668TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6668TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRF6668 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6668TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 0.012 ohm, 10 V, 4 V 新
International Rectifier(国际整流器)
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