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IRF6718L2TR1PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

INFINEON IRF6718L2TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 25 V, 0.0005 ohm, 10 V, 1.9 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IRF6718L2TR1PBF 数据手册 (3 页)

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IRF6718L2TR1PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

13 Pin

封装

Direct-FET

针脚数

13 Position

漏源极电阻

0.0005 Ω

极性

N-CH

功耗

4.3 W

阈值电压

1.9 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

61A

上升时间

140 ns

输入电容值(Ciss)

6500pF @13V(Vds)

下降时间

53 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

IRF6718L2TR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRF6718L2TR1PBF 符合标准

IRF6718L2TR1PBF 数据手册

IRF6718L2TR1PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRF6718L2TR1PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.22 MByte

IRF6718L2TR1PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 1.89 MByte

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INFINEON IRF6718L2TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 25 V, 0.0005 ohm, 10 V, 1.9 V

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