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IRF6721STRPBF
0.189
IRF6721STRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF6721STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
DirectFET-SQ
额定功率
42 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
8.5 mΩ
极性
N-CH
功耗
2.2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
14A
上升时间
8.9 ns
输入电容值(Ciss)
1430pF @15V(Vds)
下降时间
5.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)

IRF6721STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
4.85 mm
宽度
3.95 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6721STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF6721 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF6721STRPBF -
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 14A 60A
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF6721STR1PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0051 ohm, 10 V, 1.9 V
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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