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IRF6725MTR1PBF
1.958
IRF6725MTR1PBF 数据手册 (9 页)
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IRF6725MTR1PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
Direct-FET
漏源极电阻
0.0024 Ω
极性
N-CH
功耗
2.8 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
28A
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
4700pF @15V(Vds)
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)

IRF6725MTR1PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5.45 mm
宽度
5.05 mm
高度
0.6 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6725MTR1PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF6725MTR1 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon**DirectFET®** 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻 封装电阻极低,尽量减少传导损耗 高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性 薄型,仅 0.7mm ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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