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IRF6775MTRPBF
1.075
IRF6775MTRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF6775MTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
7 Pin
封装
DirectFET-MZ
额定功率
89 W
通道数
1 Channel
针脚数
7 Position
漏源极电阻
47 mΩ
极性
N-CH
功耗
89 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
4.9A
上升时间
7.8 ns
输入电容值(Ciss)
1411pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)

IRF6775MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.35 mm
宽度
5.05 mm
高度
0.7 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF6775MTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
44 页 / 3.69 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte

IRF6775 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 150 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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