￥ 0.219

IRF6811STRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

单 N沟道 25 V 2.1 W 11 nC 功率 Mosfet 表面贴装- DirectFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF6811STRPBF 数据手册 (20 页)

封装尺寸在19 页

典型应用电路图在1 页

原理图在7 页

IRF6811STRPBF 数据手册 (20 页)

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IRF6811STRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

32 W

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.0028 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

1.6 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

19A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

1590pF @13V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

下降时间

5.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 32W (Tc)

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IRF6811STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.85 mm

宽度

3.95 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF6811STRPBF 符合标准

IRF6811STRPBF 海关信息

IRF6811STRPBF 概述

IRF6811STRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 0.44 MByte

IRF6811STRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF6811STRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF6811STRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF6811STRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF6811STRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF6811STRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF6811 数据手册

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