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IRF7101PBF
器件3D模型
1
IRF7101PBF 数据手册 (1 页)
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IRF7101PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
3.50 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7101
阈值电压
3 V
输入电容
320pF @15V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
3.50 A
上升时间
10.0 ns
热阻
62.5℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
320pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃

IRF7101PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7101PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.71 MByte
International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.25 MByte

IRF7101 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 沟道 20 V 2 W 15 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7101PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
2个N沟道 20V 3.5A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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