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IRF7103TR
器件3D模型
9.68
IRF7103TR 数据手册 (10 页)
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IRF7103TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
极性
N-CH
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
50 V
连续漏极电流(Ids)
3A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
290pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7103TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

IRF7103TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.29 MByte

IRF7103 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 50V , RDS(ON) = 0.130ohm ,ID = 3.0A ) Power MOSFET(Vdss=50V, Rds(on)=0.130ohm, Id=3.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 50V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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