器件3D模型

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IRF7105QPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

INFINEON IRF7105QPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 25 V, 83 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7105QPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

IRF7105QPBF 数据手册 (11 页)

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IRF7105QPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.083 Ω

极性

N+P

功耗

2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A/2.3A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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IRF7105QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF7105QPBF 符合标准

IRF7105QPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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