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IRF7204PBF
器件3D模型
1
IRF7204PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7204PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-5.30 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.1 Ω
极性
P-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7204
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
-20.0 V
连续漏极电流(Ids)
-5.30 A
上升时间
26 ns
热阻
50℃/W (RθJC)
输入电容值(Ciss)
860pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
68 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRF7204PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7204PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
9 页 / 0.23 MByte

IRF7204 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(ON) = 0.060ohm ,ID = -5.3A ) Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7204TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
P沟道 20V 5.3A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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