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IRF720PBF
0.344
IRF720PBF 数据手册 (8 页)
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IRF720PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
3.30 A
封装
TO-220-3
极性
N-Channel
功耗
40.0 W
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
连续漏极电流(Ids)
3.30 A
上升时间
14 ns
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50000 mW

IRF720PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk

IRF720PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.87 MByte
International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 1.54 MByte

IRF720 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 400V 3.3A
ST Microelectronics(意法半导体)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
3.3A , 400V , 1.800 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Samsung(三星)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道功率MOSFET , 3.0 A, 350-400 V N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
Infineon(英飞凌)
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