器件3D模型

￥ 0.414

IRF7301PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7301PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7301PBF 数据手册 (9 页)

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IRF7301PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

N-CH

功耗

2 W

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.2A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

660pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

51 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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IRF7301PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRF7301PBF 符合标准

IRF7301PBF 海关信息

IRF7301PBF 概述

IRF7301PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.23 MByte

IRF7301PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7301PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.19 MByte

IRF7301PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7301PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON IRF7301TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV

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