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IRF7301TRPBF
器件3D模型
0.296
IRF7301TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7301TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.05 Ω
极性
N-CH
功耗
2 W
阈值电压
700 mV
输入电容
660 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.2A
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
51 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7301TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7301TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7301 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Motorola(摩托罗拉)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.050ohm ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7301TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
N 沟道 20 V 2 W 20 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-8
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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