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IRF7304QPBF
器件3D模型
0.75
IRF7304QPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7304QPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
额定功率
2 W
漏源极电阻
0.09 Ω
极性
P-Channel, Dual P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7304Q
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
-20.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.30 A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
610pF @15V(Vds)
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7304QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Silicon

IRF7304QPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.24 MByte

IRF7304 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
第五代技术 Generation V Technology
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7304TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7304PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 4.3 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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