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IRF7307QTRPBF
器件3D模型
0.087
IRF7307QTRPBF 数据手册 (11 页)
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IRF7307QTRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
通道数
2 Channel
漏源极电阻
50 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7307Q
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.20 A
输入电容值(Ciss)
660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
耗散功率(Max)
2 W

IRF7307QTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7307QTRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.16 MByte

IRF7307 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
MOS全桥,20V/5.7A(-20V/-4.7A)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7307TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7307PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.3 A, 20 V, 50 mohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
IRF7307TRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A
International Rectifier(国际整流器)
1个N沟道和1个P沟道 20V 4.3A 5.2A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF7307QTRPBF SO-8
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