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IRF730PBF
0.316
IRF730PBF 数据手册 (9 页)
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IRF730PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
5.50 A
封装
TO-220-3
额定功率
74 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
74 W
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74000 mW

IRF730PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
50

IRF730PBF 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.16 MByte
VISHAY(威世)
24 页 / 0.48 MByte
VISHAY(威世)
9 页 / 0.26 MByte

IRF730 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Harris
N沟道 400V 5.5A
Intersil(英特矽尔)
5.5A , 400V , 1.000 Ohm的N通道功率MOSFET 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
Advanced Power Electronics(富鼎先进电子)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 400V 5.5A
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