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IRF7311TRPBF
器件3D模型
0.484
IRF7311TRPBF 数据手册 (7 页)
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IRF7311TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N-CH
功耗
2 W
阈值电压
700 mV
输入电容
900 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6.6A
上升时间
17 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

IRF7311TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7311TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
7 页 / 1.92 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7311 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7311TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7311PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 29 mohm, 4.5 V, 700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
2个N沟道 20V 6.6A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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