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IRF7319TR
器件3D模型
0.208
IRF7319TR 数据手册 (10 页)
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IRF7319TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
6.50 A
封装
SOIC
极性
N+P
零部件系列
IRF7319
漏源极电压(Vds)
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.90 A
上升时间
13.0 ns

IRF7319TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape

IRF7319TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.13 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.06 MByte

IRF7319 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET®功率MOSFET HEXFET?? Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7319PBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 29 mohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7319PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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