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IRF7328TRPBF
器件3D模型
0.464
IRF7328TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7328TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.017 Ω
极性
P-CH
功耗
2 W
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
8A
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
2675pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
98 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2 W

IRF7328TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7328TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.16 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.05 MByte
Infineon(英飞凌)
7 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7328 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7328TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7328TRPBF  场效应管, 双MOSFET, 双P沟道
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7328PBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
2个P沟道 30V 8A
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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