器件3D模型

￥ 0.39

IRF7342D2PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FETKEY 系列 -55 V 105 mOhm Mosfet 用于降压稳压器应用 - SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7342D2PBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

IRF7342D2PBF 数据手册 (11 页)

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IRF7342D2PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.105 Ω

极性

P-CH

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

55 V

连续漏极电流(Ids)

3.4A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

690pF @25V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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IRF7342D2PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7342D2PBF 符合标准

IRF7342D2PBF 概述

IRF7342D2PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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