器件3D模型

￥ 1.337

IRF7342D2TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRF7342D2TRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

IRF7342D2TRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF7342D2TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

170 mΩ

极性

Dual P-Channel

功耗

2 W

零部件系列

IRF7342D2

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

3.4A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

690pF @25V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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IRF7342D2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRF7342D2TRPBF 符合标准

IRF7342D2TRPBF 概述

IRF7342D2TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.19 MByte

IRF7342D2TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IRF7342D2TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.26 MByte

IRF7342D2TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

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