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IRF7351PBF
器件3D模型
0.466
IRF7351PBF 数据手册 (1 页)
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IRF7351PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
N-Channel
功耗
2 W
零部件系列
IRF7351
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
输入电容值(Ciss)
1330pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2 W

IRF7351PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube

IRF7351PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.17 MByte

IRF7351 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® 双 N 通道功率 MOSFET,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7351PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.0137 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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