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IRF7389TRPBF
器件3D模型
0.382
IRF7389TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRF7389TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.023 Ω
极性
N+P
功耗
2.5 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
7.3A/5.3A
输入电容值(Ciss)
650pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRF7389TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7389TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.68 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRF7389 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7389TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
N/P 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7389TRPBF  场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7389PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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