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IRF7403TR
器件3D模型
0.344
IRF7403TR 数据手册 (9 页)
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IRF7403TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
8.50 A
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.5W (Ta)
零部件系列
IRF7403
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
8.50 A
上升时间
37 ns
输入电容值(Ciss)
1200pF @25V(Vds)
下降时间
40 ns
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7403TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7403TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.11 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.08 MByte

IRF7403 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7403TRPBF  场效应管, MOSFET
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
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