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IRF7410PBF
器件3D模型
0.01
IRF7410PBF 数据手册 (9 页)
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IRF7410PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.007 Ω
极性
P-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
900 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
16A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
8676pF @10V(Vds)
下降时间
200 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5 W

IRF7410PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7410PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
20 页 / 0.49 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.05 MByte

IRF7410 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7410PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 16 A, -12 V, 7 mohm, -4.5 V, -900 mV
Infineon(英飞凌)
IRF7410GTRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
-12V,-16A,7mΩ,P沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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