器件3D模型

￥ 0.131

IRF7416QPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7416QPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRF7416QPBF 数据手册 (9 页)

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IRF7416QPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

35 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.5 W

零部件系列

IRF7416Q

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

49 ns

输入电容值(Ciss)

1700pF @25V(Vds)

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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IRF7416QPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

材质

Silicon

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IRF7416QPBF 符合标准

IRF7416QPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

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