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IRF7451TR
器件3D模型
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IRF7451TR 数据手册 (8 页)
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IRF7451TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
极性
N-CH
功耗
2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
3.6A
输入电容值(Ciss)
990pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7451TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7451TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte

IRF7451 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON)最大值= 0.09ohm ,ID = 3.6A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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