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IRF7455TR
器件3D模型
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IRF7455TR 数据手册 (8 页)
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IRF7455TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
15.0 A
封装
SOIC
极性
N-Channel
零部件系列
IRF7455
漏源极电压(Vds)
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
15.0 A
上升时间
18.0 ns

IRF7455TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape

IRF7455TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.1 MByte

IRF7455 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
N沟道,30V,15A,7.5mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON)最大值= 0.0071ohm ,ID = 15A ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
Infineon(英飞凌)
IRF7455TRPBF 编带
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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