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IRF7456TRPBF-1
器件3D模型
0

IRF7456TRPBF-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
16A

IRF7456TRPBF-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IRF7456TRPBF-1 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.18 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 3.97 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRF7456 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 0.0065ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
Infineon(英飞凌)
IRF7456TRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 16A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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