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IRF7469TRPBF
器件3D模型
0.366
IRF7469TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7469TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
9.00 A
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
17 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7469
阈值电压
3 V
输入电容
2000 pF
漏源极电压(Vds)
40 V
漏源击穿电压
40 V
连续漏极电流(Ids)
9.00 A
上升时间
2.2 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @20V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
下降时间
3.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRF7469TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7469TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRF7469 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 40V ,ID = 9.0A ) Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7469TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7469PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 40 V, 17 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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