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Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRF7478TRPBF Datasheet 文档
IRF7478TRPBF
器件3D模型
0.324
IRF7478TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7478TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
7.00 A
封装
SOIC-8
漏源极电阻
30 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
零部件系列
IRF7478
输入电容
1740pF @25V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
7.00 A
上升时间
2.60 ns
输入电容值(Ciss)
1740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRF7478TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IRF7478TRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.12 MByte

IRF7478 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V ) Power MOSFET(Vdss=60V)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7478TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 60 V, 0.02 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,60V,3.5A,30mΩ@4.5V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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