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IRF7501TRPBF
0.281
IRF7501TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRF7501TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
2.40 A
封装
Micro-8
额定功率
1.2 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.085 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
1.25 W
零部件系列
IRF7501
阈值电压
700 mV
输入电容
260 pF
栅电荷
8.00 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.40 A
上升时间
24 ns
输入电容值(Ciss)
260pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃

IRF7501TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7501TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7501 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.135ohm ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7501TRPBF.  场效应管, MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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