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IRF7530TRPBF
0.402
IRF7530TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRF7530TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
5.40 A
封装
Micro-8
额定功率
1.3 W
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.03 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
1.3 W
零部件系列
IRF7530
阈值电压
1.2 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.40 A
上升时间
11 ns
输入电容值(Ciss)
1310pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1.3 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.3 W

IRF7530TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
0.86 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF7530TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRF7530 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.030ohm ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7530TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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