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IRF7580MTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7580MTRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

IRF7580MTRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF7580MTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

115 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0029 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

3.7 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

114A

上升时间

38 ns

输入电容值(Ciss)

6510pF @25V(Vds)

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

115W (Tc)

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IRF7580MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.35 mm

宽度

5.05 mm

高度

0.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF7580MTRPBF 符合标准

IRF7580MTRPBF 概述

IRF7580MTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.49 MByte

IRF7580MTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7580MTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF7580MTRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7580MTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7580MTRPBF 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

IRF7580MTRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF7580 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 114 A, 60 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.7 V

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