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IRF7779L2TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

Direct-FET

描述:

INFINEON IRF7779L2TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRF7779L2TRPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

IRF7779L2TRPBF 数据手册 (11 页)

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IRF7779L2TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

15 Pin

封装

Direct-FET

额定功率

125 W

针脚数

15 Position

漏源极电阻

0.009 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

输入电容

6660 pF

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

67A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

6660pF @25V(Vds)

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

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IRF7779L2TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRF7779L2TRPBF 符合标准

IRF7779L2TRPBF 概述

IRF7779L2TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.25 MByte

IRF7779L2TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRF7779L2TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

44 页 / 3.69 MByte

IRF7779L2TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRF7779L2TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRF7779L2TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.19 MByte

IRF7779L2 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRF7779L2TRPBF 数据手册

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IRF7779L2TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRF7779L2TR1PBF 数据手册

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INFINEON IRF7779L2TR1PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 150 V, 9 mohm, 10 V, 4 V

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